Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD127T4G
Herstellerteilenummer | MJD127T4G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MJD127T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD127T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 4MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD127T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD127T4G-FT |
BC807-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC817-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC857CWT1G
ON Semiconductor
SMMBTA56WT1G
ON Semiconductor
BC847BWT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT1G
ON Semiconductor
MSB92AS1WT1G
ON Semiconductor
MSB92ASWT1G
ON Semiconductor
MSD42SWT1G
ON Semiconductor
NSVBC848BWT1G
ON Semiconductor