Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSVBC857CWT1G
Herstellerteilenummer | NSVBC857CWT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVBC857CWT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVBC857CWT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 45V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 150mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SC-70-3 (SOT323) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBC857CWT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVBC857CWT1G-FT |
2SA2012-TD-E
ON Semiconductor
2SA2125-TD-H
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2SB1124S-TD-E
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BCX56-10R1
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FJX992TF
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XC6SLX150T-3FGG676I
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XC3S500E-5PQG208C
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AX250-2FGG484
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5CGTFD5C5F27I7N
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10M50SCE144C7G
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5SGXEB6R3F43C4
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EP4S40G5H40I1N
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LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
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EP1S30F780C5
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