Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD50T4G
Herstellerteilenummer | MJD50T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD50T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD50T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 400V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 200µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Leistung max | 1.56W |
Frequenz - Übergang | 10MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD50T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD50T4G-FT |
NSVBC817-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC857CWT1G
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XC3S2000-5FGG900C
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XC2S15-6VQ100C
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XC7S100-2FGGA484I
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A3P600-1FGG484
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A40MX02-3PLG68I
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EP1S25F780I6N
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