Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJD50T4G
Herstellerteilenummer | MJD50T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJD50T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJD50T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 400V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 200µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Leistung max | 1.56W |
Frequenz - Übergang | 10MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD50T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJD50T4G-FT |
NSVBC817-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC857CWT1G
ON Semiconductor
SMMBTA56WT1G
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BC847BWT1G
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MMBT2222AWT1G
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MSB92AS1WT1G
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MSB92ASWT1G
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MSD42SWT1G
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NSVBC848BWT1G
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NSVMMBT5401WT1G
ON Semiconductor
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
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5CGXFC5F6M11C6N
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EP3SL110F1152C4LN
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5AGXBB3D4F35I5G
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