Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MJE5731G
Herstellerteilenummer | MJE5731G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MJE5731G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MJE5731G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 350V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Leistung max | 40W |
Frequenz - Übergang | 10MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE5731G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MJE5731G-FT |
2SA2125-S-TD-H
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2SD1060S-1E
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2SD1060S-1EX
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A3P060-VQG100T
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EP4CGX30CF23C6
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5SGXEA5K1F40I2N
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5SGSED8K3F40C2LN
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5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation