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Herstellerteilenummer | MLP2016H4R7MT0S1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MLP2016H4R7MT0S1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MLP |
MLP2016H4R7MT0S1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Multilayer |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 4.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.1A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016H4R7MT0S1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MLP2016H4R7MT0S1-FT |
MLZ2012M1R5HT
TDK Corporation
MLZ2012M3R3HT
TDK Corporation
MLZ2012M6R8HT
TDK Corporation
MLZ2012P220WT
TDK Corporation
MLZ2012A1R0WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A1R5WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A2R2WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A3R3WTD25
TDK Corporation
MLZ2012DR10DT000
TDK Corporation
MLZ2012DR10DTD25
TDK Corporation
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel