Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MMBT5551M3T5G
Herstellerteilenummer | MMBT5551M3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBT5551M3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBT5551M3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 60mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 160V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Leistung max | 265mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SOT-723 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5551M3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBT5551M3T5G-FT |
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