Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MMBT6517LT3G
Herstellerteilenummer | MMBT6517LT3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBT6517LT3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBT6517LT3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 350V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Leistung max | 225mW |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT6517LT3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBT6517LT3G-FT |
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