Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / MMBTA14LT1G
Herstellerteilenummer | MMBTA14LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBTA14LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBTA14LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 300mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Leistung max | 225mW |
Frequenz - Übergang | 125MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTA14LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBTA14LT1G-FT |
MMBT2369LT1G
ON Semiconductor
MMBT3416LT3G
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XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel