Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10LT1G
Herstellerteilenummer | MMBTH10LT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MMBTH10LT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MMBTH10LT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Frequenz - Übergang | 650MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10LT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MMBTH10LT1G-FT |
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.
A54SX32A-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC3S4000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-2PQ208
Microsemi Corporation
EP4CE22F17A7N
Intel
5SEE9F45C2L
Intel
5SGXMA7K3F35I4N
Intel
XA6SLX16-3CSG324Q
Xilinx Inc.
A3P250-1FGG144
Microsemi Corporation
A54SX08A-FFGG144
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation