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MMIX1F180N25T Image

IXYS MMIX1F180N25T

MFG-Teilenummer
MMIX1F180N25T
verfügbare Anzahl
13040 Stücke
Referenzpreis
USD 25.9444
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
MMIX1F180N25T.pdf
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MMIX1F180N25T Spezifikationen

Herstellerteilenummer MMIX1F180N25T
Zukünftige Teilenummer FT-MMIX1F180N25T
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
MMIX1F180N25T Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 132A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 364nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23800pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 570W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 24-SMPD
Paket / fall 24-PowerSMD, 21 Leads
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MMIX1F180N25T Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer MMIX1F180N25T-FT

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