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IXYS MMIX1F180N25T
- MFG-Teilenummer
- MMIX1F180N25T
- verfügbare Anzahl
- 13040 Stücke
- Referenzpreis
- USD 25.9444
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- IXYS
- Kurze Beschreibung
- GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- MMIX1F180N25T.pdf
MMIX1F180N25T Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | MMIX1F180N25T |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-MMIX1F180N25T |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ |
| MMIX1F180N25T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 132A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 364nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23800pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 570W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 24-SMPD |
| Paket / fall | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MMIX1F180N25T Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | MMIX1F180N25T-FT |
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