Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MS108E3/TR12
Herstellerteilenummer | MS108E3/TR12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MS108E3/TR12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MS108E3/TR12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 80V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS108E3/TR12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MS108E3/TR12-FT |
1N647-1
Microsemi Corporation
1N649-1
Microsemi Corporation
1N645-1
Microsemi Corporation
1N4153-1
Microsemi Corporation
1N5711-1
Microsemi Corporation
1N4150-1
Microsemi Corporation
1N5712
Microsemi Corporation
1N3595-1
Microsemi Corporation
1N3600
Microsemi Corporation
1N4446
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel