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Herstellerteilenummer | MT29F2T08CUHBBM4-3R:B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29F2T08CUHBBM4-3R:B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 2Tb (256G x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.5V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29F2T08CUHBBM4-3R:B-FT |
MT29E256G08CECCBH6-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel