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Herstellerteilenummer | MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR-FT |
MT29F2T08CUCBBK9-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCBBG6-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCCBG6-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCCBG6-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel