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Herstellerteilenummer | MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 64Gb (8G x 8) |
Taktfrequenz | 100MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR-FT |
MT29F512G08CMCABH7-6C:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABH7-6R:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABK7-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABK7-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel