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Herstellerteilenummer | MT29F64G08CBCGBWP-BES:G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29F64G08CBCGBWP-BES:G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 64Gb (8G x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29F64G08CBCGBWP-BES:G-FT |
MT29F512G08CMCABK7-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel