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Herstellerteilenummer | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH, RAM |
Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Speichergröße | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.8V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D-FT |
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel