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Micron Technology Inc. MT49H64M9SJ-25E:B

MFG-Teilenummer
MT49H64M9SJ-25E:B
verfügbare Anzahl
70960 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
- IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Erinnerung
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
MT49H64M9SJ-25E:B.pdf
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MT49H64M9SJ-25E:B Spezifikationen

Herstellerteilenummer MT49H64M9SJ-25E:B
Zukünftige Teilenummer FT-MT49H64M9SJ-25E:B
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
MT49H64M9SJ-25E:B Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie DRAM
Speichergröße 576Mb (64M x 9)
Taktfrequenz 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 15ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 144-TFBGA
Supplier Device Package 144-FBGA (18.5x11)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT49H64M9SJ-25E:B Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer MT49H64M9SJ-25E:B-FT

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