Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR
Herstellerteilenummer | MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichergröße | 16Gb (256M x 64) |
Taktfrequenz | 1600MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | - |
Spannungsversorgung | 1.1V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR-FT |
MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1V01MWC2 MS
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel