Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / MTM231100L
Herstellerteilenummer | MTM231100L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MTM231100L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MTM231100L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 1A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SMini3-G1 |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTM231100L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MTM231100L-FT |
RJK0854DPB-00#J5
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RJK0856DPB-00#J5
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RJK1051DPB-00#J5
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H5N2522LSTL-E
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H7N1002LS-E
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H7N1002LSTL-E
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HAF1002-90STL-E
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