Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / MUN2230T1G
Herstellerteilenummer | MUN2230T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN2230T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN2230T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 338mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SC-59 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN2230T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN2230T1G-FT |
UNR421300A
Panasonic Electronic Components
UNR421400A
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UNR42160RA
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Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
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Xilinx Inc.
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LFE2M35E-5F672I
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5SGSMD4H2F35C1N
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