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ON Semiconductor MUN5112DW1T1G

Name: MUN5112DW1T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: MUN5112DW1T1G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (228 reviews)

MFG-Teilenummer: MUN5112DW1T1G

verfügbare Anzahl: 53760 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: MUN5112DW1T1G.pdf

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MUN5112DW1T1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	MUN5112DW1T1G
Zukünftige Teilenummer	FT-MUN5112DW1T1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
MUN5112DW1T1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
Transistortyp	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)	22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce	60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	500nA
Frequenz - Übergang	-
Leistung max	250mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package	SC-88/SC70-6/SOT-363
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MUN5112DW1T1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	MUN5112DW1T1G-FT

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