Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBA114YDXV6T1
Herstellerteilenummer | NSBA114YDXV6T1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA114YDXV6T1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBA114YDXV6T1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 500mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA114YDXV6T1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBA114YDXV6T1-FT |
NSBC114YPDP6T5G
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NSBA124EDP6T5G
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XCV50-4FG256C
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A14V15A-VQG100C
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AGLN030V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I4
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XC6VLX130T-1FF784I
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6FN256I
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LFE3-35EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
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