Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5115DW1T1G
Herstellerteilenummer | MUN5115DW1T1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5115DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5115DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5115DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5115DW1T1G-FT |
NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC113EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor
XCS10XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256A
Microsemi Corporation
A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
XC7A12T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5ES
Intel
EP4SGX360HF35C2N
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel