Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBC114EPDXV6T1
Herstellerteilenummer | NSBC114EPDXV6T1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBC114EPDXV6T1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBC114EPDXV6T1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 500mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC114EPDXV6T1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBC114EPDXV6T1-FT |
NSBA123TDP6T5G
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NSBA143EDP6T5G
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LCMXO640C-5T144C
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XC3SD3400A-4CS484C
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XC3S200-4FTG256I
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A3P125-2PQG208I
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LFXP6E-3F256C
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10AX115N3F45I2SG
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