Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / MUN5213DW1T3G
Herstellerteilenummer | MUN5213DW1T3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUN5213DW1T3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUN5213DW1T3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5213DW1T3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUN5213DW1T3G-FT |
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor
EMF5XV6T5
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-FG256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208A
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-CB132
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N1F40C2LN
Intel
XC4020XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FBG900I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG676CES9937
Xilinx Inc.
APA075-TQ100I
Microsemi Corporation