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ON Semiconductor NDD02N60Z-1G

Name: NDD02N60Z-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD02N60Z-1G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (472 reviews)

MFG-Teilenummer: NDD02N60Z-1G

verfügbare Anzahl: 80640 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 600V IPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NDD02N60Z-1G.pdf

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NDD02N60Z-1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NDD02N60Z-1G
Zukünftige Teilenummer	FT-NDD02N60Z-1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NDD02N60Z-1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	10.1nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	274pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	57W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I-PAK
Paket / fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD02N60Z-1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NDD02N60Z-1G-FT

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