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NDD03N60Z-1G Image

ON Semiconductor NDD03N60Z-1G

MFG-Teilenummer
NDD03N60Z-1G
verfügbare Anzahl
86340 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 600V IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
NDD03N60Z-1G.pdf
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NDD03N60Z-1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer NDD03N60Z-1G
Zukünftige Teilenummer FT-NDD03N60Z-1G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
NDD03N60Z-1G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 312pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 61W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I-PAK
Paket / fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD03N60Z-1G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NDD03N60Z-1G-FT

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