Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NDS356AP
Herstellerteilenummer | NDS356AP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NDS356AP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NDS356AP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS356AP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NDS356AP-FT |
FDN337N
ON Semiconductor
SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
FDN5630
ON Semiconductor
SI2302-TP
Micro Commercial Co
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS670S2LH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2318A-TP
Micro Commercial Co
SI2369DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel