Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NDS356AP
Herstellerteilenummer | NDS356AP |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NDS356AP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NDS356AP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS356AP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NDS356AP-FT |
FDN337N
ON Semiconductor
SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
FDN5630
ON Semiconductor
SI2302-TP
Micro Commercial Co
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS670S2LH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2318A-TP
Micro Commercial Co
SI2369DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel