Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE58219-T1-A
Herstellerteilenummer | NE58219-T1-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE58219-T1-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE58219-T1-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 100mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 60mA |
Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | 3-SuperMiniMold (19) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE58219-T1-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE58219-T1-A-FT |
BFR 380T E6327
Infineon Technologies
BFR 949T E6327
Infineon Technologies
MMBTH10-7
Diodes Incorporated
MMBTH24-7
Diodes Incorporated
BFU550R
NXP USA Inc.
BFP183E7764HTSA1
Infineon Technologies
BFP193E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFU520R
NXP USA Inc.
BFU520XAR
NXP USA Inc.
BFU530R
NXP USA Inc.
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC2VP40-7FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C7
Intel
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
5SGXEA4H1F35C1N
Intel
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4
Intel