Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE66219-A
Herstellerteilenummer | NE66219-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE66219-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE66219-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 3.3V |
Frequenz - Übergang | 21GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 2GHz |
Gewinnen | 14dB |
Leistung max | 115mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 2V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 35mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-523 |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE66219-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE66219-A-FT |
LZ1418E100R,114
Ampleon USA Inc.
MZ0912B100Y,114
Ampleon USA Inc.
MZ0912B50Y,114
Ampleon USA Inc.
PZ1418B30U,114
Ampleon USA Inc.
MX0912B251Y,114
Ampleon USA Inc.
MX0912B351Y,114
Ampleon USA Inc.
RX1214B300Y,114
Ampleon USA Inc.
BLS2731-110,114
Ampleon USA Inc.
BLS2731-50,114
Ampleon USA Inc.
BLS3135-20,114
NXP USA Inc.
XC6SLX100T-3CSG484C
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-1XN
Intel
5SGXEB6R3F40I4N
Intel
10AX027E2F27E2LG
Intel
LCMXO640C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation