Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / MX0912B351Y,114
Herstellerteilenummer | MX0912B351Y,114 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MX0912B351Y,114 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MX0912B351Y,114 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Frequenz - Übergang | 1.215GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | 7.6dB |
Leistung max | 960W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | - |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 21A |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-439A |
Supplier Device Package | CDFM2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX0912B351Y,114 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MX0912B351Y,114-FT |
MMBTH10M3T5G
ON Semiconductor
MMBTH10LT3G
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MMBT918LT1G
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SMMBTH10-4LT3G
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2SC5227A-5-TB-E
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MMBTH10LT1G
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MMBTH10-4LT1G
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15GN03CA-TB-E
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XC6SLX150-3FGG676I
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XC4008E-4PQ208I
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A3PE1500-2FG484I
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M1AFS250-2FG256I
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A40MX02-PLG68A
Microsemi Corporation
EP20K200FI484-2N
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10AX032H4F34I3SG
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XC5VFX30T-2FFG665C
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XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19A7N
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