Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85630-A
Herstellerteilenummer | NE85630-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85630-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85630-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 4.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gewinnen | 9dB |
Leistung max | 150mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 7mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85630-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85630-A-FT |
AT-41533-BLKG
Broadcom Limited
AT-41533-TR1
Broadcom Limited
AT-41533-TR1G
Broadcom Limited
AT-41533-TR2G
Broadcom Limited
BF 770A E6327
Infineon Technologies
BF 775 E6327
Infineon Technologies
BF799E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFR 181 E6780
Infineon Technologies
BFR 182 B6663
Infineon Technologies
BFS 17P E6433
Infineon Technologies
XCV50-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FGG320C
Xilinx Inc.
EP2C20AF484I8N
Intel
5SGXEB9R3H43C4N
Intel
XC7VX485T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6N
Intel