Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85630-R25-A
Herstellerteilenummer | NE85630-R25-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85630-R25-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85630-R25-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 4.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gewinnen | 9dB |
Leistung max | 150mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 125 @ 7mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85630-R25-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85630-R25-A-FT |
AT-41533-TR1G
Broadcom Limited
AT-41533-TR2G
Broadcom Limited
BF 770A E6327
Infineon Technologies
BF 775 E6327
Infineon Technologies
BF799E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFR 181 E6780
Infineon Technologies
BFR 182 B6663
Infineon Technologies
BFS 17P E6433
Infineon Technologies
BFT92E6327
Infineon Technologies
KSC2755OMTF
ON Semiconductor
XC4005XL-2PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C4L
Intel
10AX027H3F35E2LG
Intel
XC6VHX255T-2FFG1923C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFXP3E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation