Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85630-T1-A
Herstellerteilenummer | NE85630-T1-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85630-T1-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85630-T1-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 4.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gewinnen | 9dB |
Leistung max | 150mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 7mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85630-T1-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85630-T1-A-FT |
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