Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / NGTB50N65FL2WAG
Herstellerteilenummer | NGTB50N65FL2WAG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NGTB50N65FL2WAG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NGTB50N65FL2WAG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 160A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
Leistung max | 417W |
Energie wechseln | 420µJ (on), 550µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 215nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 23ns/123ns |
Testbedingung | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 94ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-4 |
Supplier Device Package | TO-247-4L |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB50N65FL2WAG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NGTB50N65FL2WAG-FT |
GT60N321(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
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