Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NJVMJD112T4G
Herstellerteilenummer | NJVMJD112T4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NJVMJD112T4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NJVMJD112T4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 20W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD112T4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NJVMJD112T4G-FT |
SBC847CWT1G
ON Semiconductor
SMMBT3906WT1G
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BC846BWT1G
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SMMBTA06WT1G
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BC807-40WT1G
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NSVBC817-40WT1G
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NSVBC857CWT1G
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SMMBTA56WT1G
ON Semiconductor
BC847BWT1G
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MMBT2222AWT1G
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LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FGG320C
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XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FGG484I
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A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C8
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XC4VLX160-11FFG1148I
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10AX090S4F45E3LG
Intel