Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NP23N06YDG-E1-AY
Herstellerteilenummer | NP23N06YDG-E1-AY |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NP23N06YDG-E1-AY |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NP23N06YDG-E1-AY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 23A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-HSON |
Paket / fall | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP23N06YDG-E1-AY Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NP23N06YDG-E1-AY-FT |
JANTX2N7236
Microsemi Corporation
JANTX2N7236U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6756
Microsemi Corporation
JANTXV2N6758
Microsemi Corporation
JANTXV2N6760
Microsemi Corporation
JANTXV2N6762
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766T1
Microsemi Corporation