Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NP28N10SDE-E1-AY
Herstellerteilenummer | NP28N10SDE-E1-AY |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NP28N10SDE-E1-AY |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NP28N10SDE-E1-AY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | - |
Technologie | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Supplier Device Package | - |
Paket / fall | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP28N10SDE-E1-AY Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NP28N10SDE-E1-AY-FT |
JANTX2N7236U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6756
Microsemi Corporation
JANTXV2N6758
Microsemi Corporation
JANTXV2N6760
Microsemi Corporation
JANTXV2N6762
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6768
Microsemi Corporation
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Intel