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Renesas Electronics America NP50P03YDG-E1-AY
- MFG-Teilenummer
- NP50P03YDG-E1-AY
- verfügbare Anzahl
- 19160 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Renesas Electronics America
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NP50P03YDG-E1-AY.pdf
NP50P03YDG-E1-AY Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NP50P03YDG-E1-AY |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NP50P03YDG-E1-AY |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| NP50P03YDG-E1-AY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 102W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Paket / fall | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NP50P03YDG-E1-AY Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NP50P03YDG-E1-AY-FT |
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