Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NP80N055MHE-S18-AY
Herstellerteilenummer | NP80N055MHE-S18-AY |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NP80N055MHE-S18-AY |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NP80N055MHE-S18-AY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP80N055MHE-S18-AY Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NP80N055MHE-S18-AY-FT |
RCD075N19TL
Rohm Semiconductor
RCD075N20TL
Rohm Semiconductor
RCD100N19TL
Rohm Semiconductor
RCD100N20TL
Rohm Semiconductor
RDD020N60TL
Rohm Semiconductor
RDD022N50TL
Rohm Semiconductor
RDD022N60TL
Rohm Semiconductor
RDD023N50TL
Rohm Semiconductor
RDD050N20TL
Rohm Semiconductor
RK3055ETL
Rohm Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel