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Herstellerteilenummer | NS12555T221MNV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NS12555T221MNV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | NS |
NS12555T221MNV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 220µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.18A |
Strom - Sättigung | 1A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 324 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 4.4MHz |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.230" (5.85mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NS12555T221MNV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NS12555T221MNV-FT |
NR3012T4R7M
Taiyo Yuden
NR3012T100M
Taiyo Yuden
NR3012T2R2M
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NR3012T1R0N
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NR3012T470M
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NR3012T6R8M
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NR3012T150M
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NR3012T1R5N
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NR3012T220M
Taiyo Yuden
NR3012T330M
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel