Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSB1706DMW5T1G
Herstellerteilenummer | NSB1706DMW5T1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSB1706DMW5T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSB1706DMW5T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Supplier Device Package | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB1706DMW5T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSB1706DMW5T1G-FT |
MUN5232DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5311DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5332DW1T3G
ON Semiconductor
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
XC4010E-1BG225C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL120ZF484I8G
Intel
10M16DAF484C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation