Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSB1706DMW5T1G
Herstellerteilenummer | NSB1706DMW5T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSB1706DMW5T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSB1706DMW5T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Supplier Device Package | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB1706DMW5T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSB1706DMW5T1G-FT |
MUN5232DW1T1G
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MUN5333DW1T1G
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