Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSVMUN5333DW1T1G
Herstellerteilenummer | NSVMUN5333DW1T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSVMUN5333DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSVMUN5333DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN5333DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSVMUN5333DW1T1G-FT |
NSBA143ZDXV6T1
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NSBA143ZDXV6T5G
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NSBA144EDXV6T5
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NSBC113EDXV6T1
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NSBC114TDXV6T1
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XC4010E-1BG225C
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A3P030-1VQG100I
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M1AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL120ZF484I8G
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10M16DAF484C7G
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5SGSED8K2F40I2N
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5SGXEA3K3F40I4N
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XC7VX690T-3FFG1158E
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XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
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