Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSBA123JDXV6T1
Herstellerteilenummer | NSBA123JDXV6T1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSBA123JDXV6T1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSBA123JDXV6T1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 500mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA123JDXV6T1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSBA123JDXV6T1-FT |
NSBC115TDP6T5G
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NSBC124EDP6T5G
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XCS10XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256A
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A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
XC7A12T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5ES
Intel
EP4SGX360HF35C2N
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel