Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / NSM11156DW6T1G
Herstellerteilenummer | NSM11156DW6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSM11156DW6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSM11156DW6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V, 65V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 230mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSM11156DW6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSM11156DW6T1G-FT |
MUN5213DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN531335DW1T1G
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SMUN5237DW1T1G
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MUN5111DW1T1G
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MUN5135DW1T1G
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MUN5232DW1T1G
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MUN5333DW1T1G
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MUN5233DW1T1G
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MUN5311DW1T2G
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A42MX09-3PQG100
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M2GL025-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2N
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10CX150YF672I5G
Intel
10M04SCE144C7G
Intel
XC5VLX330-2FF1760C
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XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6FN672I
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LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
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