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ON Semiconductor NSVMUN531335DW1T1G

MFG-Teilenummer
NSVMUN531335DW1T1G
verfügbare Anzahl
75700 Stücke
Referenzpreis
USD 0.091712
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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NSVMUN531335DW1T1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer NSVMUN531335DW1T1G
Zukünftige Teilenummer FT-NSVMUN531335DW1T1G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101
NSVMUN531335DW1T1G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Stromabnehmer (Ic) (max.) 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms, 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 187mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NSVMUN531335DW1T1G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NSVMUN531335DW1T1G-FT

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