Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSS20201MR6T1G
Herstellerteilenummer | NSS20201MR6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSS20201MR6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSS20201MR6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 100mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 1A, 5V |
Leistung max | 460mW |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS20201MR6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSS20201MR6T1G-FT |
MJD128T4
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MJD18002D2T4G
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XC6SLX150T-3FGG676I
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XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
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5CGTFD5C5F27I7N
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10M50SCE144C7G
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5SGXEB6R3F43C4
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EP4S40G5H40I1N
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LFE5U-12F-7BG256C
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10AX066N4F40E3LG
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EP1S30F780C5
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