Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSS30201MR6T1G
Herstellerteilenummer | NSS30201MR6T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSS30201MR6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSS30201MR6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 75mV @ 1mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 300 @ 500mA, 5V |
Leistung max | 535mW |
Frequenz - Übergang | 300MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS30201MR6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSS30201MR6T1G-FT |
MJD117
ON Semiconductor
MJD117RLG
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MJD128T4
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MJD18002D2T4G
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A54SX16A-1TQG144
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LCMXO2280E-4TN100I
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XC2VP7-6FG456I
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ICE40UL1K-SWG16ITR1K
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5SGXEB6R2F40C3N
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5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD4E2H29I2LN
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
EP2S90F1020I4
Intel