Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSS35200MR6T1G
Herstellerteilenummer | NSS35200MR6T1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NSS35200MR6T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSS35200MR6T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 35V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V |
Leistung max | 625mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS35200MR6T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSS35200MR6T1G-FT |
MJD112RL
ON Semiconductor
MJD117
ON Semiconductor
MJD117RLG
ON Semiconductor
MJD128T4
ON Semiconductor
MJD18002D2T4G
ON Semiconductor
MJD200
ON Semiconductor
MJD200T4
ON Semiconductor
MJD200T5G
ON Semiconductor
MJD210
ON Semiconductor
MJD210RL
ON Semiconductor
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel