Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / NSV1C201MZ4T1G
Herstellerteilenummer | NSV1C201MZ4T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NSV1C201MZ4T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NSV1C201MZ4T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 180mV @ 200mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 800mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSV1C201MZ4T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NSV1C201MZ4T1G-FT |
MJD3055G
ON Semiconductor
MJD31CRL
ON Semiconductor
MJD32CRL
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MJD340
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MJD350G
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MJD42CT4
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XC6SLX100-3FG484I
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A3P1000-2PQG208
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5SGXEA5N2F45C2LN
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5SGXMABK3H40C2LN
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EP1AGX60EF1152I6N
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XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
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10AX057H2F34E1SG
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EP4SGX180FF35C2X
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